[发明专利]高密度高效能功率晶体管布局方式无效
申请号: | 200810100033.8 | 申请日: | 2008-06-03 |
公开(公告)号: | CN101599505A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 陈立政;安丰沅 | 申请(专利权)人: | 致新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/772;H01L27/088 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 邬少俊;王 英 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 功率晶体管具有栅极、源极、及漏极。栅极具有第一直线部分、第二直线部分、及第三直线部分。第一直线部分与第二直线部分相连结且形成第一V形结构。第二直线部分与第三直线部分相连结且形成第二V形结构。第一直线部分、第二直线部分、及第三直线部分形成N形结构。 | ||
搜索关键词: | 高密度 高效能 功率 晶体管 布局 方式 | ||
【主权项】:
1、一种功率晶体管,包含:栅极,其具有第一直线部分、第二直线部分、及第三直线部分,其中该第一直线部分与该第二直线部分相连结且形成第一角度,且该第二直线部分与该第三直线部分相连结且形成第二角度;源极;以及漏极,其中该第一直线部分与该第二直线部分形成第一V形结构,该第二直线部分与该第三直线部分形成第二V形结构,且该第一直线部分、该第二直线部分、及该第三直线部分形成N形结构。
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