[发明专利]用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置有效
| 申请号： | 200810100413.1 | 申请日： | 2002-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101335186A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·本杰明;罗伯特·斯蒂格 | 申请（专利权）人： | 科林研发公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 美*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置。本发明揭示一种用于一等离子处理机的卡盘，其包括一温控基座(302)、一热绝缘体(304)、一平支架(306)以及一加热器(308)。该温控基座(302)的温度低于一工件(310)的需要温度。热绝缘体(304)装设于温控基座(302)之上。平支架(306)夹持一工件(310)且其装设于热绝缘体(304)之上。一加热器(308)埋置于平支架内及/或装设于该平支架的一底面上。该加热器包括可加热多个对应加热分区的多个加热元件。每一加热元件的电源及/或温度是独立控制的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 工件 支架 表面上 空间 温度 分布 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制卡盘温度的方法，其包括：测量卡盘的第一分区的温度；依据所述测量，将影响所述第一分区温度的加热元件的功率控制在第一温度；测量卡盘的第二分区的温度；及依据所述测量，将影响所述第二分区温度的加热元件的功率控制在第二温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
