[发明专利]具有三维凹陷结构的硅及其制备方法无效
| 申请号： | 200810101189.8 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101311349A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 奚中和;吴越;张耿民;崔宏宇;郭等柱 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B29/60 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维结构具有类似于倒屋顶的外形，即，顶面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，顶面长方形的长度等于该倒屋顶形的屋脊长度和顶面长方形的宽度的和，特别的，当倒屋顶形的屋脊长度为零时，该倒屋顶形退化为倒金字塔形。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；制备参数容易控制；生成的产物形貌平整，结晶良好，且具有规则的硅的三维立体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 三维 凹陷 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有三维凹陷结构的硅，其特征在于所述的三维凹陷结构为倒屋顶形。
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