[发明专利]生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法无效
| 申请号： | 200810101357.3 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101525740A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王莉莉;张书明;杨辉;梁骏吾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量卤化物，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 质量 氮化 铟单晶 外延 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、卤化物，生长出氮化铟单晶外延膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
