[发明专利]一种单向低损耗的乐甫波传感器无效
| 申请号： | 200810101503.2 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101526501A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李红浪;陈烨;何世堂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;G01N29/24;G01N33/48;G01H11/00 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨小蓉 |
| 地址： | 100190北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种单向低损耗的乐甫波传感器，包括压电基片及分别沉积于其两端的输入叉指换能器和输出叉指换能器，所述压电基片上覆盖有波导层，所述波导层采用剪切波速比压电基片低的低声速膜，该波导层的中部覆盖有敏感膜，所述敏感膜放置在输入叉指换能器和输出叉指换能器中间，其特征在于：所述输入叉指换能器和输出叉指换能器均采用单相单向换能器；所述的波导层采用金、二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲脂或环氧树脂；所述的敏感膜根据检测物质的需要，可为生物敏感膜；所述的输入叉指换能器和输出叉指换能器部分可以被覆盖在波导层之内或完全暴露在波导层之外。本发明能降低换能器的双向损耗，从而降低整个器件的插入损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 损耗 乐甫波 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种单向低损耗的乐甫波传感器，包括压电基片(5)及分别沉积于其两端的输入叉指换能器(1)和输出叉指换能器(2)，所述压电基片(5)上覆盖有波导层(4)，所述波导层(4)采用剪切波速比压电基片(5)低的低声速膜，该波导层(4)的中部覆盖有敏感膜(3)，所述敏感膜(3)放置在输入叉指换能器(1)和输出叉指换能器(2)中间，其特征在于：所述的输入叉指换能器(1)和输出叉指换能器(2)均采用单相单向换能器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院声学研究所，未经中国科学院声学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810101503.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
