[发明专利]在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法无效

专利信息
申请号: 200810102203.6 申请日: 2008-03-19
公开(公告)号: CN101539505A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 周振宇;陈涌海 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01N19/00 分类号: G01N19/00;G01N3/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明是一种在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法。所述方法包括选取一压电陶瓷致动器,所述压电陶瓷致动器能够通过对改变压电陶瓷的偏压调节所施加的应力;将两个“U”形紫铜块固定在所述压电陶瓷致动器两端,用于固定样品和导热;使用一紫铜导热丝连接在一所述紫铜块上,用于实现均匀迅速导热;使用强力胶将半导体样品两端粘结在两个“U”形铜块上;改变压电陶瓷致动器上压电陶瓷的偏压,对所述半导体样片施加连续可调单轴应力。该方法中,单轴应力的大小连续双向可调,可测量,样品降温迅速准确,装置所占体积小,操作简便,可以与低温装置完美结合。
搜索关键词: 低温 半导体 样品 施加 连续 可调 应力 方法
【主权项】:
1.一种在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法,其特征在于,包括:1)选取一压电陶瓷致动器,所述压电陶瓷致动器能够通过对改变压电陶瓷的偏压调节所施加的应力;2)将两个“U”形紫铜块固定在所述压电陶瓷致动器两端,用于固定样品和导热;3)使用一紫铜导热丝连接在一所述紫铜块上,用于实现均匀迅速导热;4)使用强力胶将半导体样品两端粘结在两个“U”形铜块上;5)改变压电陶瓷致动器上压电陶瓷的偏压,对所述半导体样片施加连续可调单轴应力。
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