[发明专利]单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法有效
| 申请号： | 200810102205.5 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101540297A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 黎明;张海英;徐静波;付晓君 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成E/D GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，包括：对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备；采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽，分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极，实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，再长介质SiN，再进行光刻二次布线Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。利用本发明，采用改良的E/DMHEMT工艺技术，制备出性能良好的MHEMT 9阶和15阶环型振荡器，对E/D MHEMT制备工艺技术进行了验证，确保了内部器件特性的测量更精确。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 增强 耗尽 gaas mhemt 环形 振荡器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，该方法包括：对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备；采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽，分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极，实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，再长介质SiN，再进行光刻二次布线Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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