[发明专利]TFT-LCD阵列基板和彩膜基板及其制造方法有效
申请号: | 200810102786.2 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN101546076A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 张弥 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1339 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板和彩膜基板。阵列基板包括形成在基板上的栅线、公共电极线、数据线、形成在所述栅线和数据线交叉处的TFT和位于像素区域内的像素电极,所述公共电极线之上设置有暴露出所述公共电极线的第二钝化层过孔和像素电极过孔,用于与彩膜基板上的透明电极电连接。彩膜基板包括形成在基板上的黑矩阵、彩色树脂、柱状隔垫物和透明电极,所述柱状隔垫物设置在与阵列基板上第二钝化层过孔相对应的位置上,且覆盖有所述透明电极。本发明改变了彩膜基板上透明电极与阵列基板上公共电极的电连接方式,提高TFT-LCD的显示品质。 | ||
搜索关键词: | tft lcd 阵列 彩膜基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种TFT-LCD阵列基板,包括形成在基板上的栅线、公共电极线、数据线、形成在所述栅线和数据线交叉处的TFT和位于像素区域内的像素电极,其特征在于,所述公共电极线之上设置有暴露出所述公共电极线的第二钝化层过孔和像素电极过孔,用于与彩膜基板上的透明电极电连接。
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