[发明专利]使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法无效

专利信息
申请号: 200810102800.9 申请日: 2008-03-26
公开(公告)号: CN101543406A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 陈弘达;朱琳;裴为华;张旭 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: A61B5/0478 分类号: A61B5/0478;B81C1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及微丝电极阵列的装配技术,特别涉及一种使用硅阵列孔装配微丝电极的技术。采用普通光刻和化学各向异性腐蚀的方法,能够制作具有高精度、低成本、孔径和排布方式可控的硅阵列孔,通过环氧树脂的固定来完成微丝电极的二维或三维装配。本方法适合小尺寸微丝电极阵列的组装及器件封装,阵列孔可以方便的根据微丝的半径、间距、排布方式等进行用户定制。
搜索关键词: 使用 阵列 装配 电极 方法
【主权项】:
1. 一种使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:选择一表面晶向为100的硅片;在所述硅片上制作出侧壁光滑的阵列孔;根据电极植入深度确定微丝长度,将记录端削尖以记录信号;将微丝垂直插入所述硅片的阵列孔,调节微丝记录端长度,并使每根微丝电极在垂直方向上互相平行,在所述阵列孔背面涂覆环氧树脂,并置于烘箱中加热,用于将微丝电极阵列固定在阵列孔中;将微丝电极阵列与外部电路相连;在所述连接处涂覆环氧树脂并加热固化,实现绝缘并保持其机械性能稳定。
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