[发明专利]一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构有效
| 申请号： | 200810103181.5 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101276879A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 姜勇;包瑾;徐晓光 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，属于磁随机存储技术领域，所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结(MTJ)结构的最底层为底电极层，从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第1自由层、第2自由层、顶电极层。第1自由层和第2自由层构成双自由层结构。所述钉扎层和第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。这种结构具有低写入电流特性，可实现超高存储密度，将被广泛应用到新型磁传感器或磁随机存储器件等器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自由 垂直 铁磁性 隧道 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，其特征在于：a.最底层为底电极层，厚度为10～200纳米；b.从底往上第二层为反铁磁层，厚度为10～20纳米；c.从底往上第三层为钉扎层，所述钉扎层为磁各向异性易轴垂直膜面材料；d.从底往上第四层为绝缘层，厚度为0.5～2.5纳米；e.从底往上第五层为第1自由层，厚度为1～10纳米；f.从底往上第六层为第2自由层，厚度为1～10纳米；g.从底往上第七层为顶电极层，厚度为10～200纳米；其中所述第五层和所述第六层构成双自由层结构，所述第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，所述第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。
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