[发明专利]一种双波长单芯片发光二极管无效
| 申请号： | 200810103336.5 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101257081A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陶岳彬;杨志坚;方浩;桑立雯;李丁;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管，属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域。该器件包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个有源层为不同光波段的量子阱，且上述两个有源层之间共用一p型接触层或一n型接触层。本发明LED器件可以通过控制各个电极所加的电流、电压的大小，控制两种不同光波段的量子阱的发光强度，且具有器件电路简单，寿命长，光电转化效率高的特点。本发明对制备无需荧光粉，较高光电转化效率的单芯片白光LED具有重要意义，并且将在白光照明，全色显示和光调节领域发挥重要作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 芯片 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种双波长单芯片发光二极管，其特征在于，包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个有源层为不同光波段的量子阱，且上述两个有源层之间共用一p型接触层或一n型接触层。
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