[发明专利]气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法无效
| 申请号： | 200810103467.3 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101311366A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 常永勤;俞大鹏 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/62;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明将高纯Mn粉放置在三氧化二铝坩埚中，清洗后的镀金膜硅片覆盖在Mn源正上方，镀膜硅片与蒸发源的垂直距离为1～2mm，再一起放入水平管式炉中；将炉温升至900～1000℃后保温2～4h，膜生长过程中充入流量为50～150ml/min的氩气，生长结束后自然冷却至室温。本发明在镀有金膜的硅片上获得大量高纯度的Mn3O4纳米线，制备的Mn3O4纳米线为四方结构，纳米线的直径约50～260nm，长度为8～12μm，具有高的结晶质量，其生长方向为[211]。磁学测量结果表明：一维Mn3O4纳米线的居里温度和矫顽力均高于体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 制备 氧化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种气相沉积制备四氧化三锰纳米线的方法，其特征在于，将镀有金膜的硅片用丙酮超声清洗后再用去离子水清洗，用以收集Mn3O4纳米线；将高纯Mn粉放置在三氧化二铝坩埚中，清洗后的镀膜硅片覆盖在Mn源正上方，镀膜硅片与蒸发源的垂直距离为1～2mm，将它们一起放入水平管式炉中；将炉温升至900～1000℃后保温2～4h，膜生长的整个过程充入流量为50～150ml/min的氩气，生长结束后自然冷却至室温。
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