[发明专利]用于电场测量的耦合型光电集成传感器无效
申请号: | 200810104166.2 | 申请日: | 2008-04-16 |
公开(公告)号: | CN101251560A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 曾嵘;牛犇;王博;耿屹楠;华勇 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R29/12 | 分类号: | G01R29/12;G01R19/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 1000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于电场测量的耦合型光电集成传感器,属于高电压测量技术领域。该传感器包括采用具有电光效应的晶片,在该晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成输入Y形分叉、中间互相平行的光波导;还包括在所述光波导的输出端连接的3dB耦合结构的光波导;在所述中间互相平行的两段光波导中的一段的上表面设置一个电极。本发明从根本上实现两路光波导的推挽干涉固有相位差为90度;不仅可以测量电场信号的幅值,还可用于测量电场的频率、相位等信息;且采用光波导进行信号传输,金属元件尺寸较少,对被测电场的影响很小,位置分辨能力强。无需使用电源就可以实现测量,大大提高了测量频率范围和响应速度,非常适合高电压区域的测量。 | ||
搜索关键词: | 用于 电场 测量 耦合 光电 集成 传感器 | ||
【主权项】:
1、一种用于电场测量的耦合型光电集成传感器,包括采用具有电光效应的晶片,在该晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成输入Y形分叉、中间互相平行的光波导;其特征在于,还包括在所述光波导的输出端连接的3dB耦合结构的光波导;在所述中间互相平行的两段光波导中的一段的上表面设置一个电极。
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