[发明专利]硅衬底薄膜膜厚的测量方法无效
| 申请号： | 200810104540.9 | 申请日： | 2008-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101319886A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 曹歆 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B15/02 | 分类号： | G01B15/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程殿军;张颖玲 |
| 地址： | 100871北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅衬底薄膜膜厚的测量方法，涉及薄膜测量技术，为解决当前非透明薄膜测试所需探头较多、导致测量成本较高而提出，所采用的技术方案是：A.选取至少两种厚度的薄膜并分别沉积于硅衬底上，标定出所述至少两种厚度薄膜的尺寸；B.对所述至少两种厚度的薄膜进行射线激发，利用硅探头分别检测被激发的硅电子特征信号的强度值；C.利用所标定的薄膜尺寸及所检测的硅电子特征信号强度值建立薄膜厚度与硅电子特征信号强度之间的函数关系；D.对待测量的硅衬底薄膜进行射线激发，利用硅探头检测被激发的硅电子特征信号的强度值，根据步骤C所建立的函数关系确定所述待测量硅衬底薄膜的厚度。本发明降低了测量成本且实现简单。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 薄膜 测量方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅衬底薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：A、选取至少两种厚度的薄膜并分别沉积于硅衬底上，标定出所述至少两种厚度薄膜的尺寸；B、对所述至少两种厚度的薄膜进行射线激发，利用硅探头分别检测被激发的硅电子特征信号的强度值；C、利用所标定的薄膜尺寸及所检测的硅电子特征信号强度值建立薄膜厚度与硅电子特征信号强度之间的函数关系；D、对待测量的硅衬底薄膜进行射线激发，利用硅探头检测被激发的硅电子特征信号的强度值，根据步骤C所建立的函数关系确定所述待测量硅衬底薄膜的厚度。
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