[发明专利]原位置换反应热压制备SiC/Ti3SiC2材料的方法无效

专利信息
申请号: 200810105375.9 申请日: 2008-04-29
公开(公告)号: CN101269966A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 李世波;向卫华;周洋;翟洪祥 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100044北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种原位置换反应合成SiC/Ti3SiC2复合材料及其热压制备方法,以Si粉和TiC粉为原料,Al为反应助剂,按Si∶TiC∶Al=2∶3∶(0.2~1)的摩尔比配料,干混10小时后,将混好的配料放入石墨模具内,将石墨模具置于热压炉中,在氩气保护气氛下,以20~50℃/分钟的升温速率将炉温升至1350~1550℃,同时对模具中的粉料施加20~40MPa的压力,保温1~4小时,得到SiC/Ti3SiC2块体复合材料。该方法具有:合成SiC/Ti3SiC2复合材料成本低,不含TiC杂质相,形成的SiC颗粒细小,在基体内分布均匀。所用设备简单,工艺参数稳定,适用于规模化生产。
搜索关键词: 原位 置换反应 热压 制备 sic ti sub 材料 方法
【主权项】:
1.一种原位置换反应热压制备SiC/Ti3SiC2材料的方法,其特征在于含有以下步骤:(1)以Si粉和TiC粉为原料,Al为反应助剂,按Si∶TiC∶Al=2∶3∶(0.2~1)的摩尔比配料;(2)将上述配料和玛瑙球放入球磨罐中,在球磨机上干混10小时;(3)将上述混好的配料放入石墨模具内,将石墨模具置于热压炉中,在氩气保护气氛下,以20~50℃/分钟的升温速率将炉温升至1350~1550℃,同时对模具中的粉料施加20~40MPa的压力,保温1~4小时,得到SiC/Ti3SiC2块体复合材料。
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