[发明专利]栅极、半导体器件及栅极、掺杂区、含氮侧墙基层形成方法有效
| 申请号： | 200810105923.8 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577223A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;唐兆云;白杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/266;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种栅极形成方法，包括：在基底上形成多晶硅层；图形化所述多晶硅层；执行氮化操作，在具有图形化的多晶硅层的基底表面形成氮化硅层。本发明还提供了一种掺杂区形成方法，以及，一种含氮侧墙基层形成方法，均可减少后续形成掺杂区时的掺杂损失。本发明还提供了一种栅极，在后续形成掺杂区后，可具有较少的掺杂损失。本发明还提供了一种半导体器件，在形成掺杂区后，可具有较少的掺杂损失。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 半导体器件 掺杂 含氮侧 墙基 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极形成方法，其特征在于，包括：在基底上形成多晶硅层；图形化所述多晶硅层；执行氮化操作，在具有图形化的多晶硅层的基底表面形成氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
