[发明专利]一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法无效
申请号: | 200810106202.9 | 申请日: | 2008-05-09 |
公开(公告)号: | CN101271955A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 张波萍;赵立东;李敬锋;刘玮书 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;H01L35/34;C22C12/00;C22C1/05;B22F3/105 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料,放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点,通过控制烧结工艺可获得致密、晶粒细小的显微结构。该方法通过机械合金化和放电等离子烧结制备Bi-S二元体系热电材料,具有工艺简便,合成和成型的时间短等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 bi 二元 体系 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种Bi-S二元体系块体热电材料,其特征在于:材料组成通式为Bi2Sx,x=2.5~3.5单位:摩尔。
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