[发明专利]一种AlN缓冲层的生长方法

摘要

本发明提供了一种AlN缓冲层的生长方法，采用金属有机化学气相沉积方法，以氢气作为载气，TMAl和NH₃分别作为Al源和N源，控制温度为1050℃-1200℃，压力为100-200torr，V/III为400-800，采用交替通入TMAl和NH₃的脉冲方式在蓝宝石衬底上生长50-150个周期的AlN缓冲层，具体每个周期依次通入3-10s TMAl，3-10s载气，3-10s NH₃和3-10s载气。这种方法简单易行，生长窗口宽，在此基础上来外延生长AlN或Al_xGa_1-xN(0≤x＜1)外延层，尤其是高Al组分的Al_xGa_1-xN外延层，可以有效降低外延层中的位错密度，提高晶体质量。

主权项

1.一种AlN缓冲层的生长方法，采用金属有机化学气相沉积方法，以氢气作为载气，TMAl和NH3分别作为Al源和N源，控制温度为1050℃-1200℃，压力为100-200torr，V/III为400-800，采用交替通入TMAl和NH3的脉冲方式在蓝宝石衬底上生长50-150个周期的AlN缓冲层，具体每个周期依次通入3-10s TMAl，3-10s载气，3-10s NH3和3-10s载气。