[发明专利]半导体外延片的压焊方法有效

专利信息
申请号: 200810106833.0 申请日: 2008-04-30
公开(公告)号: CN101267012A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 熊传兵;江风益;王立;王古平;章少华 申请(专利权)人: 晶能光电(江西)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 330029江西省南*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种半导体外延片的压焊方法,该方法不需要通过热阻加热方式给压焊金属加热,可以防止热阻加热方式中的压焊金属由于热扩散而影响外延片的欧姆接触性能,该方法可最大程度的避免热阻加热方式给外延片造成的品质劣化一种。本发明包括如下步骤:定位步骤:将待焊接的外延片和基板置于夹合装置上的工作台上,使外延片和基板的焊接面通过定位装置进行定位对接;电磁焊接步骤:接通电磁线圈,并通过焊接机构上的夹合装置对外延片和基板施加夹合压力,通过电磁线圈发出的电磁波来加热外延片或基板上的压焊金属,使外延片和基板压焊在一起。本发明由于升温速率和降温速率很快,可以明显提高生产速率。
搜索关键词: 半导体 外延 方法
【主权项】:
1、一种半导体外延片的压焊方法,包括如下步骤:定位步骤:将待焊接的外延片和基板置于夹合装置上的工作台上,使外延片和基板的焊接面通过定位装置进行定位对接;电磁焊接步骤:接通电磁线圈,并通过焊接机构上的夹合装置对外延片和基板施加夹合压力,通过电磁线圈发出的电磁波来加热外延片或基板上的压焊金属,使外延片和基板压焊在一起。
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