[发明专利]保护电路、方法及应用前述保护电路的系统无效
| 申请号： | 200810108319.0 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101388546A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 林淑惠;颜宗锦;吴宜勋;林育漳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种保护电路、方法及应用前述保护电路的系统。系统包含驱动装置及被驱动装置，驱动装置操作在第一供应电压，具有互补式金属氧化物半导体输出；被驱动装置操作在比第一供应电压低的第二供应电压，并有互补式金属氧化物半导体输入伴随着N型金属氧化物半导体下拉式晶体管。保护电路包含第一电阻器。寄生NPN型双极结晶体管(BJT)具有与N型金属氧化物半导体下拉式晶体管的栅极连接的漏极，及与较低电压供应轨耦接的源极。NPN型双极结晶体管的栅极经由第二电阻器连接至较低电压供应轨。为保护N型金属氧化物半导体下拉式晶体管的栅极氧化层免受静电放电的影响，用该第二电阻器的电阻控制寄生NPN型双极结晶体管的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 方法 应用 前述 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种保护电路，适用于一系统中，该系统内有驱动装置及被驱动装置，该驱动装置有第一供应电压(Vdd1)与输出，而该被驱动装置具备低于该第一供应电压(Vdd1)的第二供应电压(Vdd2)，其中该被驱动装置有输入耦接至该驱动装置的该输出，该保护电路包括：第一电阻器，耦接至该驱动装置的该输出及该被驱动装置的输入N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；寄生NPN型双极结晶体管，具有漏极连接于该被驱动装置的该输入N型金属氧化物半导体晶体管的该栅极，和源极耦接至较低电压供应轨(Vss)；以及第二电阻器，将该NPN型双极结晶体管的栅极连接至较低电压供应轨(Vss)，为了保护该被驱动装置的该输入N型金属氧化物半导体晶体管的栅极氧化层免于受到静电放电的影响，该第二电阻器的电阻用来控制该寄生NPN型双极结晶体管的触发电压。
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