[发明专利]低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法无效
| 申请号： | 200810108794.8 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101315888A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 朴津镐;崔吉铉;李相遇;李虎基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/532;H01L29/49;H01L29/772;H01L29/78;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法，所述导电结构包括通过在衬底上执行循环淀积工艺形成的第一成核层、通过CVD工艺形成于所述第一成核层上的第二成核层以及形成于所述第二成核层上的体金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 包括 器件 系统 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成导电结构的方法，包括：采用循环淀积工艺在衬底上形成第一成核层；采用化学气相淀积工艺在所述第一成核层上形成第二成核层；以及在所述第二成核层上形成体金属层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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