[发明专利]多晶硅层的制法、TFT及其制法及OLED显示装置

摘要

本发明提供制作多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；利用结晶诱导金属使非晶硅层结晶为多晶硅层；形成与多晶硅层中沟道区之外的区域相对应的多晶硅层的上方和下方接触的金属层图案或者金属硅化物层图案；以及退火该衬底以将存在于多晶硅层沟道区中的结晶诱导金属吸到具有金属层图案或者金属硅化物层图案的多晶硅层区域。此外，存在于多晶硅沟道区中的结晶诱导金属可以有效地去除，并且从而可以制作具有改良泄露电流特性的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的OLED显示装置。

主权项

1.一种从多晶硅层的第一预定区域去除结晶诱导金属的方法，所述多晶硅层由金属诱导晶化技术、金属诱导横向晶化技术或者超晶粒硅技术形成，所述方法包括：提供与所述多晶硅层的第二预定区域中的多晶硅层相接触的金属层图案或者金属硅化物层图案；和进行退火以将存在于所述第一预定区域中的结晶诱导金属吸到所述第二预定区域。