[发明专利]固态成像装置及其生产方法以及成像设备有效
申请号: | 200810108810.3 | 申请日: | 2008-05-26 |
公开(公告)号: | CN101312204A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 马渕圭司 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种固态成像装置及其生产方法以及成像设备。在该固态成像装置中,形成在半导体基板上的第一表面侧上的像素电路由多个光接收区域共享。半导体基板的第二表面侧作为光接收区域的光入射侧。形成在半导体基板的第二表面侧部分中的光接收区域的第二表面侧区域以近似均匀的间隔布置,而形成在半导体基板的第一表面侧部分中的光接收区域的第一表面侧区域以不均匀的间隔布置,并且在半导体基板中第二表面侧区域与第一表面侧区域相应连接,使得光接收区域从半导体基板的第二表面侧延伸到第一表面侧。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 生产 方法 以及 设备 | ||
【主权项】:
1、一种固态成像装置,包括:半导体基板,具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;多个光接收区域,形成在所述半导体基板上,分别具有形成在所述半导体基板的第一表面侧部分中的第一表面侧区域和形成在所述半导体基板的第二表面侧部分中的第二表面侧区域;以及像素电路,形成在所述半导体基板的所述第一表面侧上,并且由所述多个光接收区域共享,其中所述半导体基板的所述第二表面侧与形成有所述像素电路的所述第一表面侧相对,所述第二表面侧作为所述光接收区域的光入射侧,并且其中形成在所述半导体基板的所述第二表面侧部分中的所述光接收区域的所述第二表面侧区域以近似均匀的间隔布置,而形成在所述半导体基板的所述第一表面侧部分中的所述光接收区域的所述第一表面侧区域以不均匀的间隔布置,并且在所述半导体基板中所述光接收区域的所述第二表面侧区域和所述第一表面侧区域相应连接,使得所述光接收区域从所述半导体基板的所述第二表面侧延伸到所述第一表面侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810108810.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的