[发明专利]固态成像装置及照相机有效
申请号: | 200810108811.8 | 申请日: | 2008-05-26 |
公开(公告)号: | CN101312205A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 广田功 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供固态成像装置及照相机。该固态成像装置包括:基板;光接收部分,构造成具有用光照射的第一基板表面和其上形成元件的第二基板表面;第二导电类型隔离层;检测晶体管,构造成包括靠近该第二基板表面形成在该第一导电类型导电层中的第二导电类型电极层;以及复位晶体管,构造成包括形成在该第二导电类型隔离层中的第一导电类型电极层、在该第一导电类型电极层和该检测晶体管的该第二导电类型电极层之间的该第二导电类型隔离层、以及该光接收部分的该第一导电类型导电层。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 照相机 | ||
【主权项】:
1、一种固态成像装置,包括:基板,构造成具有用光照射的第一基板表面和其上形成元件的第二基板表面;光接收部分,构造成形成在该基板中,并且包括第一导电类型导电层,该光接收部分通过该第一基板表面接收光,并且具有对接收的光的光电转换功能和电荷积聚功能;第二导电类型隔离层,构造成形成在该光接收部分的该第一导电类型导电层的侧面上;检测晶体管,构造成包括靠近该第二基板表面形成在该第一导电类型导电层中的第二导电类型电极层,该检测晶体管检测该光接收部分中积聚的电荷,并且具有阈值调制功能;以及复位晶体管,构造成包括第一导电类型电极层,该第一导电类型电极层形成在该第二导电类型隔离层中,该第二导电类型隔离层沿着平行于基板表面的方向相邻于该检测晶体管的形成区域,该复位晶体管还包括在该第一导电类型电极层和该检测晶体管的该第二导电类型电极层之间的该第二导电类型隔离层,该检测晶体管的该第二导电类型电极层相邻于该第二导电类型隔离层,该复位晶体管还包括该光接收部分的该第一导电类型导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的