[发明专利]电阻随机存取存储器装置有效
| 申请号： | 200810108832.X | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101315942A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李昌范;朴永洙;鲜于文旭;姜保守;安承彦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 装置 | ||
【主权项】：
1、一种电阻随机存取存储器装置，包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
