[发明专利]无辅助、低触发电压和高维持电压的SCR

摘要

本发明公开了一种保护性SCR集成电路装置，其建立在邻接的N阱和P阱上且限定了阳极和阴极。除阳极和阴极的接触结构之外，该装置具有桥接于该N阱和该P阱的n型叠层(N+/ESD)结构，以及在该P阱中的p型叠层(P+/PLDD)结构。n型叠层结构和p型叠层结构的分离提供了低触发电压，其与其他物理尺寸和处理参数一起提供了相对高的维持电压。在具体实施方式中，触发电压可为大约8V，同时表明维持电压可通过该n型叠层的横向尺寸控制为大约5－7V。

主权项

1、一种保护性装置包括：N阱(12)和邻接的P阱(30)；第一p型结构(14)，形成于所述N阱中，该第一p型结构提供了PNP双极晶体管的发射极，所述N阱提供了基极且所述P阱提供了集电极，其中所述发射极和所述基极一起形成该保护性装置的阳极；第一n型结构(26)，形成于所述P阱中，该第一n型结构提供了NPN双极晶体管的发射极，所述P阱提供了基极且所述N阱提供了集电极，其中所述发射极和所述基极一起形成该保护性装置的阴极；ESD结构(18)，桥接所述N阱和所述P阱而形成，该ESD结构具有高于所述N阱的n型掺杂密度；PLDD结构(21)，在P阱中与ESD结构(18)横向距离为L1处形成，该PLDD结构具有高于所述P阱的掺杂水平；N+结构(16)，形成于所述ESD结构中，该N+结构(16)具有比所述ESD结构(18)高的n型掺杂密度；P+结构(20)，形成于PLDD结构中，该P+结构(20)具有比所述PLDD结构高的掺杂密度，其中N+结构(16)的边缘与P+结构(20)最近的边缘的横向距离为LX；其中L1和LX之间的差值部分地确定了该保护性装置的击穿电压和维持电压。