[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810109439.2 | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101303984A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 角义之;内藤孝洋;佐藤俊彦;池上光;菊池隆文 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置的制造方法，包括下列工序：(a)制备布线衬底，所述布线衬底具有多个封装衬底形成区域、在多个封装衬底形成区域之间形成的分切区域、与多个封装衬底形成区域和分切区域连续地形成的多个布线、以及分别与多个布线电连接的多个键合焊盘；(b)在工序(a)之后，去除形成在分切区域中的多个布线；(c)在工序(b)之后，在多个封装衬底形成区域上方分别安装多个半导体芯片，该多个半导体芯片的每个具有主面和形成在该主面上的多个电极；(d)在工序(c)之后，将多个电极分别与多个键合焊盘电连接；(e)在工序(d)之后，用树脂密封多个半导体芯片；以及(f)在工序(e)之后，使用分切刀片来切割分切区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列工序：(a)制备布线衬底，所述布线衬底具有多个封装衬底形成区域、在所述多个封装衬底形成区域之间形成的分切区域、与所述多个封装衬底形成区域和所述分切区域连续地形成的多个布线、以及分别与所述多个布线电连接的多个键合焊盘；(b)在工序(a)之后，去除形成在所述分切区域中的所述多个布线；(c)在工序(b)之后，在所述多个封装衬底形成区域上方分别安装多个半导体芯片，该多个半导体芯片的每个具有主面，在该主面上形成有多个电极；(d)在工序(c)之后，将所述多个电极分别与所述多个键合焊盘电连接；(e)在工序(d)之后，用树脂密封所述多个半导体芯片；以及(f)在工序(e)之后，使用分切刀片来切割所述分切区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
