[发明专利]清洁图案化设备以及在衬底上沉积层系统的方法和系统无效
| 申请号： | 200810109520.0 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315879A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 乌里·霍夫曼;卓斯·曼纽尔·迪格茨－加波 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/77;H01L21/82;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种清洁图案化设备以及在衬底上沉积层系统的方法和系统。图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料，方法包括这样的步骤：提供清洁等离子体，以通过等离子体刻蚀处理从图案化设备除去涂敷材料。在从图案化设备除去涂敷材料的步骤期间，图案化设备的温度不超过给图案化设备造成破坏的临界温度，同时维持的等离子体刻蚀率至少为0.2μm/min，特别是0.5μm/min，特别是1μm/min，特别是2.5μm/min，特别是5μm/min。为了产生脉冲清洁等离子体，提供脉冲能量。该方法可以在直接等离子体刻蚀处理中或远程等离子体刻蚀处理中执行。不同的刻蚀处理可以组合或者顺序执行。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 图案 设备 以及 衬底 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对图案化设备进行清洁的方法，所述图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料(OLED材料)，所述方法的特征在于，所述方法包括这样的步骤：提供清洁等离子体，以通过等离子体刻蚀处理从所述图案化设备除去所述涂敷材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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