[发明专利]显示装置无效
| 申请号： | 200810109780.8 | 申请日： | 2008-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101329486A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 三宅秀和;海东拓生;野田刚史;宫泽敏夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示装置，该显示装置在基板上具有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包括：与栅极信号线连接的栅电极；隔着绝缘膜跨上述栅电极而形成的半导体层；与漏极信号线连接而形成在上述半导体层上的漏电极；以及与上述漏电极相对而形成在上述半导体层的源电极，平面观察时，上述漏电极的与源电极面对的边不与上述栅电极重叠而形成，上述源电极的与漏电极面对的边不与上述栅电极重叠而形成。该显示装置虽然结构极为简单，但具备实现截止电流减少的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，其特征在于，包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管；栅极信号线；与栅极信号线连接的栅电极；隔着绝缘膜跨栅电极而形成的、通过照射激光而被多晶硅化的半导体层；漏极信号线；与漏极信号线连接而形成在半导体层上的漏电极；以及与漏电极相对而形成在半导体层上的源电极，平面观察时，漏电极的与源电极相对的边不与栅电极重叠，源电极的与漏电极相对的边不与栅电极重叠。
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