[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810109850.X | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315918A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 竹原秀树;立冈一树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/00;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H05K1/18;H05K1/02;H05K3/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在基板(1)的表面侧形成构成半导体元件的第1电路图案(3)，在第1电路图案(3)上形成第1绝缘层(2)，在第1绝缘层(2)上形成连接外部用的焊锡电极(5)，在基板(1)的背面侧也形成第2绝缘层(6)并在其上形成第2电路图案(7)，形成穿通孔(8)以将第1电路图案(3)和第2电路图案(7)连接，在第2电路图案(7)上安装芯片型被动零件(9)，并且用环氧树脂(10)对背面侧进行整体的树脂密封以覆盖芯片型被动零件(9)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：形成于利用薄板的单层构造而制成的基板的第1主面、且构成半导体元件的第1电路图案；形成于所述基板的与所述第1主面相反侧的第2主面的第2电路图案；形成于所述第1电路图案和所述第2电路图案之间且穿通所述基板以将它们连接的穿通孔；形成于所述第1电路图案上的连接外部用的焊锡电极；以及安装于所述第2电路图案上的芯片型被动零件，所述半导体装置对所述第2主面进行整体的树脂密封以覆盖所述芯片型被动零件。
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