[发明专利]形成导体结构的方法及其应用无效
| 申请号： | 200810109975.2 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101325177A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | T·玛蒂拉;A·阿拉斯塔洛;M·艾伦;H·瑟帕 | 申请（专利权）人： | 芬兰国立技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/60;H01L23/525;H01L29/43;H01L29/49;H01L23/485;G01J5/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 芬兰埃*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本公开揭示一种在衬底上形成导电结构的方法。根据该方法，含导电或半导电材料的纳米微粒以稠密形式被涂覆在衬底上，并且将电压施加于纳米微粒上，以至少局部地增加构造的导电率。根据本发明，电压足够高以通过类似穿透的方式造成纳米微粒的熔解。借助本发明，可形成小线宽结构而不需要高精度的平版印刷。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 导体 结构 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在包括含纳米微粒层的衬底上形成导电或半导电的路径的方法，所述层中的纳米微粒包括导电或半导电材料，所述方法包括：在含纳米微粒的层上施加电压以局部地增加层的导电率，所述电压足够高以通过类似穿透的方式熔解纳米微粒，其特征在于，所述电压从点状电极侧向地施加于含纳米微粒的层以在衬底上形成线状构造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
