[发明专利]一种TiC/DLC多层薄膜的沉积方法无效
| 申请号： | 200810110529.3 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101597745A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 马占吉;赵栋才;武生虎;肖更竭;任妮 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明是一种TiC/DLC多层薄膜的方法，属于表面工程技术领域。本发明采用磁过滤钛电弧源沉积Ti层；采用脉冲石墨电弧源沉积DLC层；采用磁过滤钛电弧源和脉冲石墨电弧源共同沉积TiC层，通过调节脉冲石墨电弧源的脉冲频率来控制TiC层中的Ti含量。采用电弧离子镀技术沉积的TiC/DLC多层薄膜内应力小于类金刚石单层薄膜的内应力，同时保持了类金刚石薄膜高硬度和低摩擦系数的性能特点，沉积的TiC/DLC多层膜总厚度可以达到2μm，且具有优异的耐磨损性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tic dlc 多层 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1、一种TiC/DLC多层薄膜的沉积方法，其特征在于包括下列步骤：(1)打开磁过滤钛电弧源，在完成预处理的工件上沉积Ti层；(2)同时打开磁过滤钛电弧源和脉冲石墨电弧源沉积TiC层；(3)关闭磁过滤钛电弧源，采用脉冲石墨电弧源沉积DLC层；(4)多次重复步骤(2)和步骤(3)的沉积过程。
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