[发明专利]用于白光二极管与无机荧光粉的复合材料无效
申请号: | 200810110690.0 | 申请日: | 2008-06-16 |
公开(公告)号: | CN101289617A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;C09K11/02;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明系关于一种复合材料,其系用于白光二极管与无机荧光粉中,其至少包括两种无机物质,第一种是荧光粉,第二种是光散射体,以及一种聚合粘合剂,该复合材料作为一发光转换层并与源于一InGaN异质结所辐射的短波光相互作用,其特征在于:该光散射体为AIIBVI量子点化合物形式的纳米尺寸粉末材料,其中A=Zn或Cd;B=O,S,Se或Te,并与(Y2~x~y~zGdxCeyDyzO3)1.5±α(Al2O3)2.5±β基质无机荧光粉形成复合材料,其中0.01<x≤0.4,0.001<y≤0.1,0.00001≤z≤0.01,0.01≤α<0.1,0.01≤β<0.1。 | ||
搜索关键词: | 用于 白光 二极管 无机 荧光粉 复合材料 | ||
【主权项】:
1.一种复合材料,其系用于白光二极管与无机荧光粉中,其至少包括两种无机物质,第一种是荧光粉,第二种是光散射体,以及一种聚合粘合剂,该复合材料作为一发光转换层并与源于一InGaN异质结所辐射的短波光相互作用,其特征在于:光散射体为AIIBVI量子点化合物的形式的纳米尺寸粉末材料,其中A=Zn或Cd;B=O,S,Se或Te,并与(Y2-x-y-zGdxCeyDyzO3)1.5±α(Al2O3)2.5± β基质无机荧光粉形成复合材料,其中0.01<x≤0.4,0.001<y≤0.1,0.00001≤z≤0.01,0.01≤α<0.1,0.01≤β<0.1。
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