[发明专利]形成发光元件用的电极结构的方法和形成层压结构的方法有效
| 申请号： | 200810111258.3 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101320778A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 平尾直树 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明披露了一种形成发光元件用的电极结构的方法和形成层压结构的方法。形成发光元件用的电极结构的方法包括以下步骤：形成具有开口的屏蔽材料层；通过减小粒子密度以使用于碰撞的平均自由程长的物理汽相沉积方法，在屏蔽材料层和化合物半导体层中通过开口的底部露出的部分上沉积第一材料层；通过除物理汽相沉积方法之外的汽相沉积方法，在屏蔽材料层上的第一材料层上、在开口的底部沉积的第一材料层上、和在化合物半导体层中通过开口的底部露出的部分上沉积第二材料层；以及去除屏蔽材料层和在屏蔽材料层上沉积的第一和第二材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 发光 元件 电极 结构 方法 层压 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成发光元件中的电极结构的方法，所述方法包括以下步骤：(A)在化合物半导体层上形成屏蔽材料层，所述屏蔽材料层包括具有平均顶部直径RT和平均底部直径RB的开口，其中，RB＞RT；(B)通过减小将被沉积的材料的粒子密度以使用于碰撞的平均自由程长的物理汽相沉积方法，在所述屏蔽材料层上以及在所述化合物半导体层中通过所述开口的所述底部露出的部分上沉积由导电材料构成的第一材料层；(C)通过除所述物理汽相沉积方法之外的汽相沉积方法，在所述屏蔽材料层上的所述第一材料层上、在所述开口的所述底部上沉积的所述第一材料层上、和在所述化合物半导体层中通过所述开口的所述底部露出的部分上沉积第二金属材料层；以及(D)去除所述屏蔽材料层和在所述屏蔽材料层上沉积的所述第一和第二材料层，从而形成由所述第一材料层和所述第二材料层构成的所述电极结构。
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