[发明专利]通过植入N－及P－型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法无效
| 申请号： | 200810111492.6 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101308822A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森;韦德·A·克鲁尔 | 申请（专利权）人： | 山米奎普公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/265;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 植入 离子 负离子 制造 cmos 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种将掺杂剂材料植入一衬底内的方法，该方法包括如下步骤：产生AsnHx +形式的N-型簇离子，其中n和x为整数，且n＝3或4，x处于0≤x≤n+2的范围内；自一第二分子物质产生P-型簇离子；将所述N-型簇离子植入一衬底上的一第一区域内；及将所述P-型簇离子植入所述衬底上的一第二区域内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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