[发明专利]用于CVD腔室清洗的远程诱导耦接的等离子体源无效
申请号: | 200810111506.4 | 申请日: | 2008-06-02 |
公开(公告)号: | CN101338413A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 卡尔A·索伦森;乔瑟夫·库德拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23F4/00;H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通过在冷却RF线圈外部流动清洗气体,在可高压或低压下并且将高RF偏压施加到线圈而激发等离子体。冷却RF线圈可减少线圈的溅射并从而减少与清洗气体等离子体一起被输送到处理腔室的不期望污染物。减少线圈的溅射可延长远程等离子体源的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 用于 cvd 清洗 远程 诱导 等离子体 | ||
【主权项】:
1、一种远程等离子体源,包含:外壳;与所述外壳耦接的气体入口;与所述外壳耦接的等离子体出口;设置在所述外壳内的金属管道,该金属管道具有外侧表面和内侧表面;与所述外侧表面耦接的射频输入;以及与所述内侧表面耦接的第一冷却液入口。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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