[发明专利]氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 200810111589.7 | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101604715A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王孟源;陈国聪 | 申请（专利权）人： | 普光科技（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵 军;张颖玲 |
| 地址： | 510530广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种氮化镓基发光二极管芯片，从下往上依次包括蓝宝石衬底、N型氮化镓、有源区、P型氮化镓、透明导电层，形成在透明导电层上的P电极，及形成在N型氮化镓外露的表面上的N电极，其中，所述P型氮化镓的边缘区域未被透明导电层覆盖，该未被透明导电层覆盖的边缘区域为切割道。本发明还公开一种氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括以下步骤：在外延片的P型氮化镓的表面定位出需蚀刻的区域；蚀刻该区域，直至露出N型氮化镓；在P型氮化镓的表面制作透明导电层，但露出P型氮化镓的边缘区域作为切割道；在透明导电层上制作P电极，并在露出的N型氮化镓上制作N电极，以形成发光二极管芯片；将外延片切割成多个芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓基发光二极管芯片，从下往上依次包括蓝宝石衬底、N型氮化镓、有源区、P型氮化镓、透明导电层，形成在透明导电层上的P电极，及形成在N型氮化镓外露的表面上的N电极，其特征在于，所述P型氮化镓的边缘区域未被透明导电层覆盖，该未被透明导电层覆盖的边缘区域为切割道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普光科技（广州）有限公司，未经普光科技（广州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810111589.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LED发光装置及其制造方法
- 下一篇：一种适于电源极性反转的PN结隔离方法
