[发明专利]二维双层光纤阵列及其制作方法无效
| 申请号： | 200810112204.9 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101587205A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 耿敏明;张磊;杨林;田贺斌;王桐;刘育梁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种二维双层光纤阵列及其制作方法。在同一个硅片上制作二维双层光纤阵列，光纤阵列分为上下两层，每一层可以放置若干条光纤，每一层均用盖板固定、保护。该双层光纤阵列应用硅工艺里的双面光刻和各向异性刻蚀技术在硅片的上下两个底面分别制作一层光纤阵列，每一层光纤阵列由至少一个V型槽组成，光纤被安放及固定在V型槽内。采用该方案有效的提高了光纤阵列的密度，节约了空间。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 双层 光纤 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种二维双层光纤阵列，其特征在于，包括上下两层光纤阵列，每一层光纤阵列由至少一个V型槽组成，光纤被安放在V型槽内，采用固化胶固定。
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