[发明专利]浅沟槽制作方法有效
| 申请号： | 200810112501.3 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587835A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽制作方法，包括步骤：提供表面覆盖有掩膜结构的半导体衬底，所述掩膜结构上形成有暴露半导体衬底的掩膜沟槽；以掩膜结构为掩膜，在半导体衬底上刻蚀出与掩膜沟槽对应的衬底沟槽；在掩膜结构表面形成保护层，且保护层填满掩膜沟槽和衬底沟槽；刻蚀保护层，直至暴露掩膜结构且未暴露半导体衬底；刻蚀保护层、掩膜结构和半导体衬底，直至半导体衬底沟槽的顶角形成目标圆角。本发明在浅沟槽的尺寸较小时，也能形成圆滑的浅沟槽顶角，避免了现有技术应用在小尺寸浅沟槽时形成的顶角圆滑程度不够的缺陷，从而改善了浅沟槽隔离的电学性能表现，进而减轻浅了沟槽隔离的漏电现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽制作方法，其特征在于，包括步骤：提供表面覆盖有掩膜结构的半导体衬底，所述掩膜结构上形成有暴露半导体衬底的掩膜沟槽；以掩膜结构为掩膜，在半导体衬底上刻蚀出与掩膜沟槽对应的衬底沟槽；在掩膜结构表面形成保护层，且保护层填满掩膜沟槽和衬底沟槽；刻蚀保护层，直至暴露掩膜结构且未暴露半导体衬底；刻蚀保护层、掩膜结构和半导体衬底，直至半导体衬底沟槽的顶角形成目标圆角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
