[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810114299.8 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599434A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 赵林林;沈满华;马擎天 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，提供一硅片，在所述硅片上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层内具有开口图形；对所述刻蚀阻挡层内的开口图形的侧壁进行第一刻蚀，包括：向刻蚀腔中通入包含氧原子的第一气体，第一气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例小于1；之后向刻蚀腔中通入包括惰性气体的第二气体，第二气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例大于1，使硅片边缘区域刻蚀速率大于硅片中央区域的刻蚀速率；对具有上述刻蚀阻挡层的硅片进行第二刻蚀。本发明提高了硅片边缘区域和硅片中央区域的刻蚀图形特征尺寸的一致性，并且操作简便，容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，提供一硅片，在所述硅片上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层内具有开口图形，其特征在于，还包括：对所述刻蚀阻挡层内的开口图形的侧壁进行第一刻蚀，包括：向刻蚀腔中通入包含氧原子的第一气体，第一气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例小于1；之后向刻蚀腔中通入包括惰性气体的第二气体，第二气体进气时在刻蚀腔的中央区域和边缘区域流量分布比例大于1，使硅片边缘区域刻蚀速率大于硅片中央区域的刻蚀速率；对具有上述刻蚀阻挡层的硅片进行第二刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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