[发明专利]沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 200810114312.X | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599419A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 杨芸;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种沟槽的形成方法，包括：提供第一类沟槽，所述第一类沟槽形成于基底内；刻蚀第一类沟槽中的基底，在刻蚀过程中刻蚀气体与基底发生反应，在第一类沟槽的两侧侧壁处原位形成侧墙；以侧墙为掩膜，继续刻蚀基底至所需深度，形成第二类沟槽；去除所述侧墙。本发明在干法刻蚀第一类沟槽中的基底的过程中，在第一类沟槽的两侧侧壁处由刻蚀气体与基底的反应生成物原位形成聚合物侧墙，代替了在第二类沟槽刻蚀之前在第一类沟槽的两侧侧壁处形成的多层介质层侧墙，作为继续刻蚀第二类沟槽的硬掩膜，提高了半导体制造过程的效率，优化了工艺过程。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：提供第一类沟槽，所述第一类沟槽形成于基底内；刻蚀第一类沟槽中的基底，在刻蚀过程中刻蚀气体与基底发生反应，在第一类沟槽的两侧侧壁处原位形成侧墙；以侧墙为掩膜，继续刻蚀基底至所需深度，形成第二类沟槽；去除所述侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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