[发明专利]半导体刻蚀方法及刻蚀系统有效
| 申请号： | 200810114316.8 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599433A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体刻蚀方法及半导体刻蚀系统，该方法包括步骤：利用当前刻蚀参数值对至少一个晶片刻蚀，在所述晶片上刻蚀出刻蚀图形；测量所述刻蚀图形的实际深度；计算出所述实际深度和目标深度的偏差值，根据所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值；将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值，利用目标刻蚀参数值执行下一次刻蚀。所述半导体刻蚀系统包括：刻蚀装置、测量装置和反馈装置。本发明的半导体刻蚀方法及半导体刻蚀系统可以在刻蚀的过程中减小误差，提高了刻蚀图形的刻蚀精度，并且使不在同一次刻蚀的刻蚀图形之间的差别减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种半导体刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：利用当前刻蚀参数值对至少一个晶片刻蚀，在所述晶片上刻蚀出刻蚀图形；测量所述刻蚀图形的实际深度；计算出所述刻蚀图形的实际深度和目标深度的偏差值，根据所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值；将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值，利用所述目标刻蚀参数值执行下一次刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
