[发明专利]高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法无效
| 申请号： | 200810114509.3 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101597639A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李运涛;俞育德;余金中;于军;胡迪;任鲁风 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C12Q1/68 | 分类号： | C12Q1/68;C12M1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在铝或铝合金薄膜表面采用阳极氧化方法制作高密度多孔氧化铝模板；步骤2：将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离；步骤3：将多孔氧化铝模板转移至DNA微阵列生物芯片基片表面，作为DNA微阵列生物芯片基片的刻蚀掩膜；步骤4：采用刻蚀的方法对DNA微阵列生物芯片基片进行刻蚀；步骤5：移除多孔氧化铝模板，完成高密度DNA微阵列生物芯片的制作。本发明其具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 dna 阵列 生物芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在铝或铝合金薄膜表面采用阳极氧化方法制作高密度多孔氧化铝模板；步骤2：将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离；步骤3：将多孔氧化铝模板转移至DNA微阵列生物芯片基片表面，作为DNA微阵列生物芯片基片的刻蚀掩膜；步骤4：采用刻蚀的方法对DNA微阵列生物芯片基片进行刻蚀；步骤5：移除多孔氧化铝模板，完成高密度DNA微阵列生物芯片的制作。
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