[发明专利]用于半导体器件中的取样光栅的制作方法无效
| 申请号： | 200810114793.4 | 申请日： | 2008-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101604050A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王桓;王宝君;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136;G02B6/124 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片；步骤2：在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶；步骤3：对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓；步骤4：将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条；步骤5：对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅；步骤6：用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。本发明具有成本低、适于大规模生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 中的 取样 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片；步骤2：在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶；步骤3：对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓；步骤4：将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条；步骤5：对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅；步骤6：用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。
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