[发明专利]一种利用AAO模板制作光波段人工复合结构材料无效

专利信息
申请号: 200810114867.4 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101306795A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 赵泽宇;崔建华;史浩飞;罗先刚;杜春雷 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 贾玉忠;卢纪
地址: 61020*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种利用AAO模板制作光波段人工复合结构材料,其特征在于:选择抛光硅基片,并在其表面沉积一层微米量级的铝膜;采用电化学二步阳极氧化法在铝膜表面制备出厚度<1微米的多孔氧化铝模板;生成单通道纳米孔阵列AAO模板;用侧向真空沉积法在单通道纳米孔阵列AAO模板上沉积一层金属膜层;选择光学材料基底,将纳米孔阵列AAO模板有金属膜层的一面与基底连接;去除硅基片;对背面的金属铝膜层和氧化铝阻挡层进行腐蚀,形成孔道阵列双通形式的AAO模板;用侧向真空沉积法在AAO模板另一侧沉积金属膜层,制作完成;本发明成本低廉、加工周期短、加工图形区域面积大、可精确实现上下两层金属网格之间纳米量级对准,在光波段人工结构材料的基础理论研究及实际应用方面具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 利用 aao 模板 制作 波段 人工 复合 结构 材料
【主权项】:
1、一种利用AAO模板制作光波段人工复合结构材料,其特征在于包括以下步骤:(1)选择硅基片,并将其表面抛光;然后在其表面溅射沉积一层厚度在微米量级的高纯铝膜;(2)在高纯铝膜表面采用电化学二步阳极氧化方法,制备出厚度<1微米的多孔氧化铝模板;同时,通过调节电解溶液的种类、浓度、电压以及电解时间等工艺条件得到结构参数不同的单通道的纳米孔阵列AAO模板;(3)采用侧向真空沉积技术在单通道的纳米孔阵列AAO模板上沉积一层厚度在10~30纳米的金属膜层;(4)选择一块合适大小的光学材料基底,将纳米孔阵列AAO模板沉积有金属膜层的一面与光学材料基底表面连接在一起;(5)去除硅基片;(6)对背面的金属铝膜层和氧化铝阻挡层进行腐蚀,形成孔道阵列双通形式的AAO模板;(7)采用侧向真空沉积技术,再次在AAO模板的另一侧沉积厚度10~30纳米的金属膜层,一种利用AAO模板制作的光波段人工复合结构材料制作完成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所,未经中国科学院光电技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810114867.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top