[发明专利]一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法无效

申请号：	200810115563.X	申请日：	2008-06-25
公开（公告）号：	CN101615580A	公开（公告）日：	2009-12-30
发明（设计）人：	黎明;张海英;付晓君;徐静波	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所
主分类号：	H01L21/331	分类号：	H01L21/331;H01L21/28
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	周国城
地址：	100029***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明公开了一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，包括：在MHEMT材料外延结构上制备源漏电极；在制备了源漏电极的MHEMT材料外延结构上对有源区进行腐蚀隔离，形成隔离台面；采用三层涂胶工艺，利用电子束光刻技术，制作出200nm的T型栅，并采用柠檬酸系溶液腐蚀栅槽，蒸发Ti/Pt/Au作为栅极金属；光刻布线，蒸发布线金属Ti//Au，丙酮浸泡剥离，完成200nm栅长GaAs基MHEMT器件的制作。利用本发明，制作出了T型栅结构GaAs基MHEMT器件，获得了优越的直流、高频和功率性能，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础。
搜索关键词：	一种制作 200 nm gaas mhemt 器件方法
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【主权项】：

1、一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，其特征在于，该方法包括：在MHEMT材料外延结构上制备源漏电极；在制备了源漏电极的MHEMT材料外延结构上对有源区进行腐蚀隔离，形成隔离台面；采用三层涂胶工艺，利用电子束光刻技术，制作出200nm的T型栅，并采用柠檬酸系溶液腐蚀栅槽，蒸发Ti/Pt/Au作为栅极金属；光刻布线，蒸发布线金属Ti//Au，丙酮浸泡剥离，完成200nm栅长GaAs基MHEMT器件的制作。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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