[发明专利]物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法无效
| 申请号： | 200810115699.0 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101293652A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李润源;张鸣剑 | 申请（专利权）人： | 北京京仪世纪自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/033;C01B33/039 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100079北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，首先将Si和H2、Cl2反应合成SiHCl3，然后将SiHCl3通过H还原生产多晶硅，H还原过程中的副产物SiCl4回收后，再通过Zn还原生产多晶硅。Zn还原过程中的副产物ZnCl2通过电解得到Zn和Cl2。其中，电解得到的Zn可以用于Zn还原过程中；电解得到的Cl2可以用于合成SiHCl3过程中。将锌还原和H还原生产多晶硅的工艺相结合，将SiCl4进行锌还原完全转化成硅，对锌还原反应生成的ZnCl2电解，生产Zn和Cl2并循环应用于过程中，使多晶硅生产过程中产生的SiCl4副产物得到了有效的回收利用，降低了成本和对环境的污染、节省了能源。 | ||
| 搜索关键词： | 物料 完全 循环 太阳 能级 多晶 硅氢锌 还原 方法 | ||
【主权项】：
1、一种物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，包括首先将Si和H2、Cl2反应合成SiHCl3，然后将所述SiHCl3通过H还原生产多晶硅，其特征在于，所述H还原过程中的副产物SiCl4通过Zn还原生产多晶硅。
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