[发明专利]基底温度控制方法和介质层形成方法无效
| 申请号： | 200810115960.7 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101619447A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 傅蓓芬;杨继业 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基底温度控制方法，包括：确定包含目标温度的工艺条件和对应所述工艺条件的基底背面粗糙度基值范围；测量基底背面粗糙度；在所述工艺条件下，测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之内时，确定所述基底具有目标温度；测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时，调整所述工艺条件，使所述基底具有目标温度。可提高基底温度控制的精确程度，以减少介质层形成过程中气泡的产生。本发明还提供了一种介质层形成方法，可减少介质层形成过程中气泡的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 温度 控制 方法 介质 形成 | ||
【主权项】：
1.一种基底温度控制方法，其特征在于，包括：确定包含目标温度的工艺条件和对应所述工艺条件的基底背面粗糙度基值范围；测量基底背面粗糙度；在所述工艺条件下，测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之内时，确定所述基底具有目标温度；测得的粗糙度在所述粗糙度基值范围之外时，调整所述工艺条件，使所述基底具有目标温度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
