[发明专利]一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法

摘要

本发明公开了一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法，包括：选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；进行第二次Trench腐蚀形成源引出端和体引出端的隔离，在沟槽下方与BOX层之间留出空间，为侧向体接触保留体引出通道；全部剥离SiN，生长SiO₂掩蔽膜，刻蚀该SiO₂掩蔽膜，形成两个局部埋氧层的注入窗口；进行局部埋氧层注入，形成源漏下方局部埋氧层；光刻形成有源区，两次调栅注入后通过牺牲氧化控制硅膜厚度，生长栅氧，淀积多晶硅，光刻多晶硅栅，LDD注入，侧墙隔离，源漏端注入形成漏端和源端，体引出端注入，源漏金属硅化物，淀积PMD和平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成压焊点层，合金，并进行背面处理。

主权项

1、一种制作部分耗尽绝缘体上硅SOI器件体接触结构的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；步骤2、对该SOI外延片进行第二次Trench腐蚀，形成源引出端和体引出端的隔离，在沟槽下方与BOX层之间留出空间，为侧向体接触保留体引出通道；步骤3、全部剥离SiN，生长SiO2掩蔽膜，刻蚀该SiO2掩蔽膜，形成两个局部埋氧层的注入窗口，两个窗口之间的距离等于栅长；步骤4、采用局部SIMOX技术进行局部埋氧层注入，形成源漏下方局部埋氧层，局部埋氧层距硅表面深度就是最终源漏结的深度，埋氧层下方的硅膜为体引出通道；步骤5、光刻形成有源区，两次调栅注入后通过牺牲氧化控制硅膜厚度，生长栅氧，淀积多晶硅，光刻多晶硅栅，LDD注入，侧墙隔离，源漏端注入形成漏端和源端，体引出端注入，源漏金属硅化物，淀积PMD和平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成压焊点层，合金，并进行背面处理。