[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200810116186.1 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101620350A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 高浩然;申伟;刘华 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，阵列基板包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括与栅线连接的栅电极和与数据线连接的源电极，所述栅电极上形成有至少一个过孔或所述栅电极的至少一侧形成有过槽，所述过孔或过槽内填充有分别与所述像素电极和源电极连接的半导体层。本发明改变了现有技术中普遍采用的“平面型”TFT结构，变平面结构为空间结构，具有结构简捷紧凑、参数特性好以及制造工艺简单等特点，不仅实现了增大开启电流的效果，对于其它电性参数亦有一定的改善，并且其空间结构缩小了平面尺寸，增大了空间利用率，进而增大了开口率。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括与栅线连接的栅电极和与数据线连接的源电极，所述栅电极上形成有至少一个过孔或所述栅电极的至少一侧形成有过槽，所述过孔或过槽内填充有分别与所述像素电极和源电极连接的半导体层。
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